Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Papier wielokrotnego użytku
8 grudnia 2007, 00:25Firma Fuji Xerox zaprezentowała elektroniczny papier, na którym można umieszczać kolorowe obrazy. Prototypy wykonano w innej technologii niż najpopularniejsze obecnie modele firmy E-Ink, jednak odznaczają się one typowymi cechami e-papieru, tzn. zachowują obraz bez konieczności zasilania, wyglądem przypominają zwykły papier, a ponadto są bardzo cienkie i elastyczne.
Wielozadaniowe nanocząsteczki kontra nowotwór
6 grudnia 2007, 11:55Obecnie onkolodzy, gdy chcą sprawdzić, czy chemioterapia, której poddany został pacjent, jest skuteczna, muszą odczekać kilka tygodni i sprawdzić czy guz się zmniejszył. Prace naukowców z MIT-u mogą przyczynić się z jednej strony do skrócenia tego procesu, a z drugiej – do zmniejszenia skutków ubocznych chemioterapii.
Superkomputer w laptopie
6 grudnia 2007, 11:14Badacze IBM-a uważają, że w przyszłości możliwe będzie stworzenie superkomputera wielkości laptopa. Koncern uważa, że do komunikacji pomiędzy rdzeniami procesora można wykorzystać światło zamiast elektryczności, a to stukrotnie zwiększyłoby prędkość przesyłu danych.
Szybkie i nieulotne
5 grudnia 2007, 23:29Japoński NEC informuje o opracowaniu najszybszych do tej pory układów pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory). Kości tego typu odznaczają się cechami, które mogą istotnie odmienić sposób, w jaki korzystamy z komputerów oraz wszelkich urządzeń cyfrowych. W obecnej postaci można już nimi bezpośrednio zastąpić pamięci statyczne (ang. Static RAM).
Tranzystor sezonowany
4 grudnia 2007, 00:16Układy elektroniczne z tworzyw sztucznych mają być dość powolne i duże, ale za to niezwykle tanie, a przez to – powszechnie dostępne. Zanim jednak w sklepach pojawią się płatki śniadaniowe w "elektronicznych" opakowaniach, na których będą odtwarzane reklamówki, konieczne jest udoskonalenie technologii wytwarzania plastikowych obwodów. Jedną z ciekawszych metod usuwania defektów z takich tranzystorów odkryli naukowcy zatrudnieni w szwajcarskim Federal Institute of Technology. Polega ona na... tygodniowej bezczynności.
Samsung proponuje 24 gigabajty na sekundę
3 grudnia 2007, 12:13Samsung Electronics jest autorem najbardziej wydajnych pamięci dla układów graficznych. Pojedynczy kanał wejścia-wyjścia 512-megabitowej kości GDDR5 przesyła dane z prędkością 6 gigabitów na sekundę.
Nehalem zapowiedzią poważnych zmian
30 listopada 2007, 12:28Procesory Nehalem, które zadebiutują w drugiej połowie przyszłego roku, przyczynią się do poważnych zmian w architekturze platform komputerowych korzystających z rozwiązań Intela.
Błękitna rewolucja
29 listopada 2007, 23:10Naukowcy mają skłonność do częstego przepowiadania rewolucji informatycznych. Rewolucyjne miały być – procesory bądź komputery – wektorowe, sygnałowe, macierze FPGA, optyczne czy kwantowe. Do tego obiecywano "przewroty" wynikające z zastosowania przeróżnych technologii, które powinny posłać do lamusa układy scalone bazujące na krzemie. Do ostatniej grupy należy zaliczyć pomysł wykorzystania w przyszłych komputerach pigmentów z grupy ftalocyjanin.
Węgiel i nic więcej
28 listopada 2007, 00:05Badaczom z Georgia Institute of Technology udało się wyprodukować cienkowarstwowy, wydajny tranzystor polowy. Osiągnięcie jest tym ciekawsze, że element powstał w temperaturze pokojowej i składa się wyłącznie z warstw fulerenów, a więc 60-atomowych cząstek węgla. Zbudowanie wspomnianego tranzystora przybliża moment, w którym możliwe stanie się produkowanie bardzo tanich i elastycznych urządzeń elektronicznych.